【環球網科技綜合報道】6月2日消息，據日經亞洲報道，軟銀集團與英特爾公司正攜手開展一項重要合作，共同開發一款全新的 AI 專用內存芯片，這款芯片有望在耗電量方面實現大幅降低。
雙方計劃設計的是一種新型堆疊式 DRAM 芯片，該芯片採用了不同於現有高帶寬內存（HBM）的佈線方式，預計可將電力消耗減少約一半。這一創新設計將有效提升芯片的能效比，對於降低 AI 數據中心的運營成本以及推動綠色計算具有意義。
負責該研發項目的是新成立的公司 Saimemory。據瞭解，項目所採用的技術源自英特爾，同時結合了東京大學等日本高校的專利成果。Saimemory 將主要專注於芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的製造環節則將交由外部代工廠負責。這種分工模式有助於充分發揮各方的優勢，提高研發效率。
關於項目的時間規劃，目標是在兩年內完成原型設計，之後將對是否投入量產進行評估，力爭在 2020 年代實現商業化。在資金投入方面，整體投資預計達到 100 億日元（現匯率約合 5 億元人民幣）。其中，軟銀作爲主要投資方，出資 30 億日元（現匯率約合 1.5 億元人民幣）。目前，日本理化學研究所與神港精機也在考慮從資金或技術方面參與到該項目中。此外，項目方還計劃申請政府支持，以進一步推動項目的順利開展。
軟銀對這款新型存儲器有着明確的應用規劃，希望將其用於自身的 AI 訓練數據中心。隨着 AI 在企業管理等高階領域的應用日益深入，市場對高性能、高效率數據處理能力的需求持續提升。而這款新型芯片憑藉其低功耗、高效能的特點，有望以更低的成本構建高質量的數據中心，滿足不斷增長的 AI 計算需求。（純鈞）
