【環球網科技綜合報道】4月8日消息，據外媒報道稱，三星電子高管近日透露，該公司完成了採用 16 層混合鍵合 HBM 內存技術驗證，已製造出基於混合鍵合技術的 16 層堆疊 HBM3 內存樣品，該內存樣品工作正常，未來 16 層堆疊混合鍵合技術將用於 HBM4 內存量產。
據悉，混合鍵合技術作爲一種新型的內存鍵合方式，相較於傳統的鍵合工藝，具有顯著的優勢。它摒棄了在DRAM內存層間添加凸塊的繁瑣步驟，直接通過銅對銅的連接方式實現上下兩層的連接。這種創新的方式不僅提高了信號傳輸速率，更好地滿足了AI計算對高帶寬的迫切需求，同時也降低了DRAM層間距，使得HBM模塊的整體高度得到縮減。
其實，混合鍵合技術的成熟度和應用成本一直是業界關注的焦點。爲了解決這一問題，三星電子在HBM4內存鍵合技術方面採取了多元化的策略。除了積極推進混合鍵合技術的研究與應用，三星電子還同步開發傳統的TC-NCF工藝，以實現技術多樣化，降低風險，並提升整體競爭力。
在混合鍵合技術之外，三星還在不斷探索和優化TC-NCF工藝。
據悉，三星的目標是在HBM4中將晶圓間隙縮減至7.0微米以內，以進一步提升HBM4的性能和可靠性。
業內專家表示，三星在16層混合鍵合堆疊工藝技術方面的突破，將有力推動HBM內存技術的發展，爲未來的計算應用提供更爲強大的內存支持。
